產(chǎn)地 | 山東 |
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類型 | 紅外光譜儀 |
色散元件 | 干涉光譜儀 |
探測(cè)器類型 | 分光鏡 |
銷售方式 | 直銷 |
種類 | 光譜儀 |
執(zhí)行質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) | 國(guó)標(biāo) |
貿(mào)易屬性 | 促銷 |
工作波長(zhǎng)范圍 | 140-680 |
發(fā)貨期限 | 10天 |
品牌 | 五星 |
型號(hào) | T5WXCS |
加工定制 | 是 |
使用溫度范圍 | 25℃ |
質(zhì)量認(rèn)證 | ISO9001-2000 |
狹縫尺寸 | 211 |
T5型全譜直讀光譜儀采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù),應(yīng)用了日本濱松公司的CMOS信號(hào)采集元件,每塊CMOS都可以單獨(dú)設(shè)值火花個(gè)數(shù),與國(guó)際光譜儀技術(shù)同步,采用真空光室設(shè)計(jì)及全數(shù)字激發(fā)光源。這款CMOS光譜儀,既包含了CCD光譜儀的全譜特性,又具備PMT光譜儀對(duì)非金屬元素的極低檢出限,整機(jī)設(shè)計(jì)合理,操作簡(jiǎn)單易學(xué),具有數(shù)據(jù)準(zhǔn),長(zhǎng)期穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
全譜譜線圖
CCD+CMOS全譜分析技術(shù)
豐富的譜線信息,分析靈敏線更多,保證分析的準(zhǔn) 確 度;
基于全譜測(cè)量的數(shù)據(jù),能夠正確區(qū)分背景和譜線,有效提高測(cè)量精度;
智能選擇合適的靈敏線,通過(guò)多譜線結(jié)合技術(shù),實(shí)現(xiàn)低中高含量段的檢測(cè)需求;
基于全譜測(cè)量數(shù)據(jù)的多峰擬合技術(shù),有效消除譜線干擾,實(shí)現(xiàn)精
實(shí)時(shí)智能漂移校正技術(shù)
在分析過(guò)程中實(shí)時(shí)進(jìn)行光譜漂移校正,增強(qiáng)儀器穩(wěn)定性;
減少標(biāo)準(zhǔn)化校正次數(shù),延長(zhǎng)校正周期;
自動(dòng)完成儀器校正,操作更加簡(jiǎn)便。
譜線漂移校正
CMOS檢測(cè)技術(shù)優(yōu)于CCD
CMOS相比CCD具有更高的靈敏度和響應(yīng)速度;
CMOS相比CCD具有更好的線性度;
CMOS相比CCD具有極高的紫外光敏感度,在深紫外區(qū)如碳、磷、硫、硼、砷、氮等短波元素的檢測(cè)更準(zhǔn)確。
· 國(guó)內(nèi)CMOS全譜接收技術(shù);
· 人性化一鍵激發(fā),一鍵緊急停止;
· 一體化光室光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì);
· 可編程脈沖全數(shù)字光源技術(shù);
· 可分析Fe、Al、Cu、Zn、Ni、Ti、Mg、Co等多種基體;
· 波長(zhǎng)范圍140-680nm,可滿足更多元素的分析要求。
通道名 | 通道分析范圍 | 所選 通道 √ | 要求分析材料及其分析范圍(參考程序) | ||||||
不銹鋼 | 低中合金鋼(碳鋼) |
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C | 0.002-4.5 | √ | 0.01-0.2 | 0.004-1.3 |
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Si | 0.001-7.5 | √ | 0.06-2.3 | 0.001-1.8 |
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Mn | 0.0005-3 | √ | 0.06-3 | 0.002-2.0 |
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P | 0.0003-2.3 | √ | 0.004-0.06 | 0.001-0.08 |
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S | 0.0002-0.5 | √ | 0.001-0.08 | 0.001-0.06 |
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Cr1 | 0.001-4 | √ |
| 0.002-4 |
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Cr2 | 4-35 | √ | 11-30 |
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Ni1 | 0.001-4.5 | √ |
| 0.002-4 |
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Ni2 | 4.5-25 | √ | 4.5-25 |
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Mo | 0.001-10 | √ | 0.06-4 | 0.002-2.0 |
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V | 0.0003-4.5 | √ | 0.02-0.8 | 0.001-1.0 |
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Ti | 0.0001-3.0 | √ | 0.04-1 | 0.001-1.0 |
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Cu | 0.0001-5 | √ | 0.06-6 | 0.01-1.2 |
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Al | 0.0003-2.5 | √ | 0.003-2 | 0.01-1.5 |
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Fe | STD | √ |
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